廣東集成電路正高級(jí)工程師業(yè)績成果條件

從事本專業(yè)技術(shù)工作期間，符合下列條件之二：

1.作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持完成本專業(yè)領(lǐng)域國家重大專項(xiàng)（包括重大工程項(xiàng)目、技術(shù)攻關(guān)、研究項(xiàng)目等）1 項(xiàng)以上或省（部）級(jí)重大專項(xiàng)（包括重大工程項(xiàng)目、技術(shù)攻關(guān)、研究項(xiàng)目等）2 項(xiàng)以上，并結(jié)項(xiàng)；或作為主要完成人參與完成與本專業(yè)相關(guān)的國家級(jí)政策研究課題 1 項(xiàng)或?。ú浚┘?jí)政策研究課題 2 項(xiàng)，成果被有關(guān)部門采納。

2.國家科技成果獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目的主要完成人（以獎(jiǎng)勵(lì)證書為準(zhǔn)）；或省（部）級(jí)科技成果獎(jiǎng)、中國電子學(xué)會(huì)科技獎(jiǎng)一、二等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目的主要完成人（一等獎(jiǎng)排名前 7、二等獎(jiǎng)排名前 5，以獎(jiǎng)勵(lì)證書為準(zhǔn)）；或?。ú浚┘?jí)科技成果獎(jiǎng)、中國電子學(xué)會(huì)科技獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)或市（廳）級(jí)科技成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目的主要完成人（均排前 3 名，以獎(jiǎng)勵(lì)證書為準(zhǔn)）。

3.中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)、中國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)等國內(nèi)本專業(yè)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目的主要完成人（均排前 3 名，以獎(jiǎng)勵(lì)證書和申報(bào)書為準(zhǔn)）。獲獎(jiǎng)項(xiàng)目或產(chǎn)品均實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化并投放市場(chǎng)，產(chǎn)生良好經(jīng)濟(jì)效益

集成電路專業(yè)介紹

本專業(yè)：指集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制造、集成電路封裝和測(cè)試、集成電路裝備、集成電路材料和集成電路產(chǎn)品和支撐等專業(yè)。如無特別說明，本標(biāo)準(zhǔn)條件所列業(yè)績、學(xué)術(shù)、獎(jiǎng)項(xiàng)等成果均為與本專業(yè)相關(guān)的成果。

2.集成電路材料：

(1)器件溝道材料：11N 高純硅，III-V 族半導(dǎo)體((In,Ga)As, (In,Ga)P，(In,Ga)N）、碳納米管、石墨烯、黑磷、過渡金屬硫?qū)?/p>

化合物 MX2(M=Mo、W、V、Ti、Ta 等，X=S、Se、Te)、鐵電

半導(dǎo)體(In2Se3)等；

(2)器件柵介質(zhì)材料：HfO2、HfZrO2、Al2O3、Y2O3、范德

瓦爾斯材料 BN、MX3(M=Sc、Y、Bi 等，X=Cl、Br、I)等；

(3)電極材料：TiN，TaN 等；

(4)大功率器件材料：Si、Ge、SiC、GaN、Ga2O3、AlN 等；

(5)封裝材料：導(dǎo)電，Cu、Al、Ag 及其他合金 Sn-Pb、Sn-Ag、

Sn-Sb 、 Sn-Au 、 Sn-Ag-Cu 、 Sn-Ag-Cu-X 、 Sn-Ag-Cu-X-Y 、

Sn-Ag-Cu-X-Y-Z 等；陶瓷襯底，Al2O3、AlN、Si3N4 等；芯片

封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、燒結(jié)銀、燒結(jié)銅、錫球以及電鍍液等；

(6)化學(xué)試劑(包括但不限于電子化學(xué)品)、光刻膠、掩膜等；

(7)電子特種氣體等；

(8)光電晶體材料、半導(dǎo)體發(fā)光材料等；

(9)薄膜材料：AlCu，AlSiCu，AlSi，Al，AlSc，Cu，CuMn，

CuAl，Ti，Ta，Co，NiPt，W，WSi，WTi，Au，Ag，Ru，Pt，

GeSbTe,GaSb,GaTe,InSb 等靶材；

(10)高純金屬源：Al、Be、Sb、In、Ga、As、P、B、GaTe 等